Les diodes Schottky fusionnées au SiC améliorent la fiabilité de l'alimentation ...

Les dispositifs utilisent une conception PIN Schottky (MPS) fusionnée pour combiner une robustesse de courant de surtension élevée avec une faible chute de tension directe, une charge capacitive et un courant de fuite inverse pour augmenter l'efficacité et la fiabilité des conceptions d'alimentation à découpage.

Les diodes conformes RoHS et sans halogène ont passé avec succès les tests de polarisation inverse à haute température (HTRB) de 2 000 heures et les tests de cycle de température de 2 000 cycles thermiques. C'est le double des heures et des cycles de test des exigences AEC-Q101.

Les applications typiques des dispositifs incluent le redressement de sortie ultra haute fréquence AC/DC et DC/DC dans les convertisseurs FBPS et LLC pour les applications de production d'énergie et d'exploration.

Les diodes SiC vont de 4 A à 40 A dans les boîtiers à montage traversant TO-22OAC 2L et TO-247AD 3L et D²PAK 2L (TO-263AB 2L). La structure MPS réduit la chute de tension directe de 0,3 V par rapport aux générations précédentes, tandis que leur chute de tension directe multipliée par la charge capacitive - un facteur clé de mérite (FOM) pour l'efficacité énergétique - est inférieure de 17 %.

Le courant de fuite inverse typique est 30 % inférieur à température ambiante et 70 % inférieur à haute température par rapport à la solution concurrente la plus proche. Cela réduit les pertes de conduction pour assurer une efficacité élevée du système pendant les charges légères et le ralenti. Contrairement aux diodes ultrarapides, les dispositifs Gen 3 n'ont pratiquement pas de queue de récupération, ce qui améliore encore l'efficacité.

Par rapport aux diodes au silicium avec des tensions de claquage comparables, les dispositifs SiC offrent une conductivité thermique plus élevée, un courant inverse plus faible et des temps de récupération inverse plus courts. Les temps de récupération inverse des diodes sont presque indépendants de la température, permettant un fonctionnement à des températures plus élevées jusqu'à +175 °C sans les changements d'efficacité énergétique causés par les pertes de commutation.

Les pièces #

SI (OFF) (A)

IFSM (A)

VF à IF (V)

QC (nC)

Configuration

Emballer

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

Seul

D²PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

Seul

D²PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

Seul

D²PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

dix

60

1.46

29

Seul

D²PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

Seul

D²PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

16

104

1.5

44

Seul

D²PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

Seul

D²PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

dix

60

1.46

29

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

16

104

1.5

44

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

Seul

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2 x 8

54

1.5

22

Cathode commune

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2 x 10

60

1.46

29

Cathode commune

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2 x 20

110

1.5

53

Cathode commune

TO-247AD 3L

Des échantillons et des quantités de production des nouvelles diodes SiC sont disponibles dès maintenant, avec des délais de livraison de huit semaines.

www.Vishay.com.